Тезисы докладов - страница 7

^ Н.В. Пермяков, Ю.М. Спивак
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Твердотельный зонд – ключевая часть сканирующего зондового микроскопа (СЗМ), так как именно на взаимодействии зонда и поверхности построены различные методы регистрации того или иного свойства изучаемого объекта. Радиус закругления зонда будет определять максимальное разрешение. Кроме того, для определения количественных характеристик исследуемых поверхностей во многих задачах необходимо знать точную форму и размеры зонда. Возможности зондового датчика могут быть расширены путем его модификации. В нанотехнологии наряду с методами высокотехнологичными, но в то же время и ресурсозатратными, находят новое применение многие сравнительно простые и экономически доступные технологии. К таким методам получения можно отнести электрохимическое травление (утончение (заострение) путем удаления части материала) и осаждение различных покрытий (магнитных, электропроводящих), семейство этих методов можно отнести к нанотехнологиям типа “top-down” и “bottom-up” соответственно. Такие методы будут перспективны для модификации зондовых датчиков СЗМ. Поэтому целью данной работы являлось исследование возможностей модификации зондов СЗМ электрохимическими методами. В данной работе был собран лабораторный стенд для получения зондов электрохимическим анодированием. Получена серия зондов для сканирующей туннельной микроскопии на основе W-проволоки при различных условиях анодирования и различной предварительной обработке. Исследования зондов методами оптической микроскопии проводились в проходящем и отраженном свете. Выявленные отличия формы «верхнего» и «нижнего» зондов связаны с влиянием формы мениска электролита, а также действием силы тяжести. Обнаружено, что пластические деформации в процессе подготовки зондов и после получения существенно влияют на конфигурацию острия зонда. Таким образом, возможно получение зондов сложной формы. Полученные в серии зонды могут служить в качестве микроинструментов, например, для формирования наноструктур нанесением материалов из жидкой фазы. Одним из методов доставки рабочего материала может служить развитая поверхность, на которой под действием поверхностных и/или капиллярных сил может находиться капля раствора. Таким образом, доставка к поверхности может осуществляться зондом СЗМ, с последующим осаждением (выпаривание, электролиз, лучшая адгезия к поверхности и др.).

Исследования проводились при поддержке Министерства образования РФ, государственный контракт № П399 от 30.07.2009 по направлению «Создание и обработка композиционных керамических материалов», а также грантом ФЦП «Кадры инновационной Росии», ММУ/МЭ-114.


^ ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ВАРИСТОРОВ НА ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ


Д.Б. Пинская

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Варисторы на основе оксидно-цинковой керамики являются наиболее распространенным и эффективным средством защиты электронной аппаратуры от любых импульсных перенапряжений за счет способности нелинейно изменять свое сопротивление и поглощать высокоэнергетические импульсы напряжения. Механизм их действия определяется существованием обедненных слоев толщиной в несколько десятков нанометров на границах зерен оксида цинка и межзеренной прослойки, содержащей дефекты и включения примесей оксидов висмута, сурьмы, кобальта, хрома и др., и возникновением электронной эмиссии и туннелирования через эти энергетические барьеры. Он подобен работе миллионов симметрично включенных диодов, которые при увеличении напряжения, независимо от его полярности, открываются, и через них начинает течь ток с выделением тепла. Параметры межзеренных границ оказывают определяющее действие на электрофизические характеристики всех поликристаллических и нанокристаллических материалов и приборов на их основе.

Технология изготовления варисторов постоянно совершенствуется, что позволяет расширять границы их применения. Значительные трудности возникают в связи с необходимостью создания качественных контактов, сочетающих в себе надежность и экономичность, поскольку специфические свойства материала не позволяют использовать классические методы вжигания и пайки без ухудшения варисторных свойств.

Целью настоящей работы являлось исследование влияния термообработки до температур плавления оловянно-свинцовых припоев (250 – 300 0С). Для оценки влияния термообработки на вольтамперную характеристику проводился анализ изменения классификационного напряжения и коэффициента нелинейности образцов после их нагрева и охлаждения.

Эксперименты проводились на стандартных образцах из текущих партий, выпускаемых фирмой ЗАО “НПФ ”Магнетон Варистор”, прошедших испытания и признанных годными.

В ходе исследования было выявлено резкое различие влияния термообработки на образцы различных составов и градиентов напряжения. Анализ полученных результатов позволил установить максимальные температуры допустимого нагрева и оптимальные скоростные режимы обработки для различных партий варисторов.

Итоги проделанной работы способствовали разработке альтернативного способа создания контактов и в настоящее время используются в процессе производства нелинейных энергопоглотителей на основе оксидно-цинковых варисторов.

Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по образованию РФ ГК №П399 от 30.07.2009.


ВРЕМЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ SnO2 - SiO2, ПОЛУЧЕННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ


А.А. Пономарева

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Современная золь-гель технология – это способы получения многокомпонентных гелей высокой однородности и чистоты с последующим превращением геля в пленки, волокна, порошки, монолитные и пористые изделия. Особый интерес представляет получение газочувствительных слоев золь-гель методом.

В работе были получены газочувствительные пленочные покрытия системы SnO2 - SiO2 различных составов на подложках кремния и ситалла.

Как известно, физической сущностью процесса детектирования восстанавливающих газов является взаимодействие газа-реагента с кислородом, адсорбированным на поверхности. При адсорбции анализируемого газа, проводимость приповерхностной области изменяется, – происходит обратный переход захваченных атомами кислорода электронов в объем полупроводника при уходе с поверхности продуктов реакции в нейтральном виде. Временными характеристиками описывающими газочувствительные свойства пленки являются время спада и время восстановления сопротивления пленки (1), (2):

R(t) = Rгаз + DR exp (-t/τсп); (1)

Rвосст(t) = Rвозд - DR exp (-t/τвосст), (2)

где DR = Rвозд -Rгаз; Rгаз, Rвозд – сопротивление при подаче (минимальное значение) и до подачи газа, τсп и τвосст - характеристические времена - время спада и время восстановления соответственно. Пользуясь формулой (1), были рассчитаны времена спада для всех исследуемых образцов.

Сравнительные характеристики по временам спада выявили некоторые особенности процесса детектирования восстанавливающих газов:

Таким образом, выбор температурных режимов работы сенсора и введение каталитических добавок в газочувствительные системы на основе металлооксидов может существенно увеличить быстродействие газочувствительных датчиков.

Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по образованию РФ РЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России», ГК №П399 от 30.07.2009.


^ ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ НАНОЧАСТИЦ


Н.В. Порядина, В.Л. Берковиц, А.Б. Гордеева, Е.И. Теруков

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Кремниевые наночастицы являются перспективным объектом в качестве возможного базового материала для создания лазеров, излучателей и светодиодов, поскольку в отличие от объемного кремния, наночастицы имеют прямой край поглощения. В настоящей работе исследовались слои аморфных наночастиц кремния нанесенные методом лазерного электродиспергирования [1] на подложки Si (001) и GaAs (001). Толщина пленок варьировалась от долей монослоя до десятков монослоев.

Оптические свойства этих пленок изучались в диапазоне 1.5 – 5 эВ с помощью поверхностно-чувствительной методики анизотропного отражения (А.О.). В данной методике измеряется, как функция длины волны света, величина:

,

где Rα и Rβ - коэффициенты отражения нормально падающего на поверхность света, линейно поляризованного вдоль лежащих в плоскости поверхности ортогональных направлений α и β. Поскольку используемые подложки являются кубическими кристаллами, объем которых оптически изотропен, сигнал А.О. содержит только оптический отклик от тонкого анизотропного слоя.

Было обнаружено, что анизотропными свойствами обладают только слои, нанесенные на полярную подложку арсенида галлия. В спектрах А.О. в области энергий 1.5 - 5 эВ обнаружена линия, связанная с оптическим переходом в наночастицах. Исследовано положение этой спектральной линии в зависимости от толщины покрытия. Исследован процесс окисления пленок. Обнаружено, что через несколько суток процесс окисления останавливается, спектральная линия при этом смещается в сторону меньших энергий. При последующем гидрировании нанообъектов энергетическое положение линии практически восстанавливается. Были также измерены спектральные зависимости коэффициентов поглощения и пропускания от слоя наночастиц толщиной 30 нм, нанесенного на подложку из кварца.

Работа выполнена при поддержке ФАНИ ГК № 02.740.11.0057 от 15.06.09


1. Kozhevin,VM; Yavsin,DA; Kouznetsov,VM; Busov,VM; Mikushkin,VM; Nikonov,SY; Gurevich,SA; Kolobov,A. // (2000), J. Vac. Sci. Technol. B, v.18, 1402-1405.


Взаимодейсвие наночастиц с твердыми тканями зуба


В.Н. Постнов, А.П. Бобров, В.В. Маслов, М.В. Маслов, Е.А. Боброва

Санкт-Петербургский государственный университет

Санкт-Петербургский государственный медицинский университет

им. И.П. Павлова


В последнее время в медицинской науке и практике большое внимание уделяется применению современных нанотехнологий. В стоматологической практике основные усилия исследователей направлены на разработку новых материалов на основе наночастиц. Получены первые результаты позволяющие добиваться ускорения регенерации тканей, повышение эффективности противовоспалительного и антибактериального действия, улучшения процессов ранозаживления. Уже имеются пломбировочные и базисные стоматологические материалы, содержащие в своем составе наноструктуры. Однако могут быть определены и другие пути применения нанотехнологий в стоматологии.


Цель работы

В данной работе были проведены экспериментальные исследования по изучению возможности проведения с помощью наночастиц лекарственных препаратов через твердые ткани зуба.

Методика

Для эксперимента были выбраны наночастицы кремния и алмаза, полученные по запатентованной технологии. С этой целью свежеудаленные зубы помещали в водный растворы наноалмаза и наноугля с добавлением ацетил-салициловой кислоты – противовоспалительного препарата. В растворе наночастиц зубы подвергали воздействию ультразвука в течение 15-ти минут.

Зубы извлекали из растворов наноугля и наноалмаза с аспирином и изготавливали из них гистологические препараты –продольные срезы на уровне пульпарной камеры и канала корня зуба. Гистологические препараты фиксировали эпоксидной смолой на предметных стеклах, методом микрошлифования доводили до толшины 0,1 мм для дальнейшего изучения методом микроскопии и фоторегистрации результатов.

На полученных гистологических препаратах зафиксировано методом фоторегистрации результатов микроскопии проникновение наноугля и наноалмаза с ацетилсалициловой кислотой в пульпу через твердые ткани корня зуба. Проникновение наноугля и наноалмаза с ацетилсалициловой кислотой в пульпу через твердые ткани корня зуба проявлялось в виде черного и розового окрашивания тканей зуба и наблюдалось преимущественно в верхушках корней зубов и области бифуркации корней, уменьшаясь в направлении коронки. На всех препаратах хорошо окрашен нанопрепаратами цемент корня зуба.

Полученные результаты позволяют предположить, что наноуголь и наноалмаз атропны к органической субстанции зубов, которая в наибольшем количестве представлена в вышеуказанных цементе корня, верхушке и области бифуркации корней. Результаты исследования также позволяют сделать заключение о возможности использования наноугля и наноалмаза в качестве проводников лекарственных препаратов в верхушку корня, область бифуркации, цемент и пульпу.


Исследование особенностей строения пористого кремния в зависимости от условий анодирования


Н.Е. Преображенский, П.Г. Травкин, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Формирование различных пористых структур – быстро развивающееся направление в современной функциональной электронике [1, 2]. Слои пористого кремния (ПК, por-Si) могут быть использованы в качестве изолирующих, матричных материалов, фотонных кристаллов, электродов топливных элементов, буферных слоев для гетероэпитаксии, суперконденсаторов, а также por-Si является биосовместимым материалом. ПК характеризуется уникальным строением: внутренняя структура высокопористого кремния обладает значительно развитой поверхностью, системой каналов и порами различного уровня (системы связанных мезо- и микропор). Строение и основные параметры por-Si значительно различаются для слоев полученных при различных технологических условиях (состав электролита, режим травления, плотность тока, разность потенциалов, время анодирования), а также существенно зависят от характеристик исходной подложки. Кроме того, реальная поверхность por-Si имеет развитую морфологию и рельеф, может содержать продукты электрохимического травления. Целью работы являлось изучение влияния режимов получения на строение por-Si. Формирование ПК проводилось электрохимическим травлением в двухкамерной ячейке Унно-Имаи в электролите на основе водного раствора HF с добавлением изопропилового спирта. Плотность тока анодирования варьировалась в диапазоне jА = 50..150 мА/см2. В качестве подложек был использован p-Si и n-Si с различной кристаллографической ориентацией и уровнем легирования. Исследования слоев por-Si с помощью оптической микроскопии (микроскоп Полам-Р312), атомно-силовой микроскопии (Интегра Терма), на комплексе сфокусированного ионного пучка Strata FIB 205 позволили выявить особенности строения слоев пористого кремния. По результатам исследования предложено выделить два типа пористого кремния, различающихся строением, свойствами, механизмами образования.

Работа выполнена при поддержке Министерства образования РФ, государственный контракт № П399 от 30.07.2009 по направлению «Создание и обработка композиционных керамических материалов».


1. Канагеева Ю.М., Преображенский Н.Е., Мошников В.А., Румянцева А.И. Исследование однородности структурных параметров пористых оксидных наносистем, полученных методом электрохимического травления // Материалы XI Международной конференции «Физика диэлектриков», Санкт-Петербург, 3-7 июня 2008г., т.2, С. 238-239.

2. Spivak Y. M., Moshnikov V. A., Kuznetsov V. V., Savenko A. Yu., Preobrajensky N. E., Travkin P. G., Self-Organized Porous Structure with Several Levels of Pores in Electrochemical Anodized Silicon // 6th Workshop on Functional and Nanostructured Materials, 10th Conference on Intermolecular and Magnetic Interactions in Matter, 27–30 September 2009, Sulmona–L’Aquila, Italy, 2009, P067.


^ РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ РЕЛЬСОТРОННОГО УСКОРИТЕЛЯ МАСС ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ


Д. С. Самсонов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Большинство физических методов, применяющихся сегодня для нанесения тонких пленок, основано на термическом испарении вещества и переносе его на подложку в вакууме. Основными недостатками существующих систем являются необходимость создания высокого вакуума.

Альтернативой данному классу методов может являться получение тонких пленок с помощью рельсотронного ускорителя (РУ) – устройства, позволяющего создать, разогнать до скоростей порядка 10 км/с и осадить на подложку плазменное облако, имеющее детерминированный состав вещества. При этом процесс происходит при давлениях, близких к атмосферным. РУ представляет собой импульсную систему, в которой за счет взаимодействия электромагнитного поля с плазмой газового разряда осуществляется ускорение последней.

Изначально подобные рельсотронные системы проектировались для разгона макроскопических тел. Новая область применения требует существенных изменений в конструкции рельсотронного ускорителя.

Возможности экспериментальных исследований процессов в системе крайне ограничены из-за высоких температур плазмы (~20000 0С), исключительно высоких токов (10-50 кА), импульсного характера процессов. Поэтому первым шагом для существенной модернизации системы должно стать создание математической модели происходящих в ней процессов. Полное математическое описание такой системы представляет собой сложнейшую систему интегро-дифференциальных уравнений, описывающих процессы в электрической цепи, процессы растекания токов по подводящей системе, рельсам и плазменному сгустку (электромагнитная задача), процессы силового взаимодействия токов, процессы, происходящие в плазме разряда, процессы нагрева рельсов, газодинамические процессы.

Первая задача, о результатах решения которой идет речь – задача согласования параметров элементов емкостного накопителя и разрядного контура. При этом в расчетах учтены эффективная глубина проникновения электромагнитной волны в материал рельсов и токоподводящих шин, а также внутреннее сопротивление элементов емкостного накопителя.


^ ИССЛЕДОВАНИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУРИРОВАНЫХ ПЛЁНОК ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА


А.В. Семенов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Целью работы являлась разработка компьютеризированного макета и исследование петель диэлектрического гистерезиса конденсаторных структур Me/Pb(Zrx-1Tix)O3/Me на основе наноструктурированных сегнетоэлектрических плёнок цирконата-титаната свинца разного состава, полученных различными методами. В работе исследовались две серии конденсаторных структур: в первой сегнетоэлектрический слой был получен ВЧ магнетронным распылением мишени промышленной пьезокерамики ЦТСНВ-1, а во второй серии пленки ЦТС состава Pb(Zr0,45Ti0,55)O3, получали методом MOCVD. В первой серии образцов исследовалось влияние различных параметров термообработки на сегнетоэлектрические свойства конденсаторных структур и их возможное применение в микроэлектронике. Во второй серии исследовалось влияние верхних платиновых и иридиевых электродов, толщины сегнетоэлектрического слоя, количества свинца в пленке ЦТС и подслоя титаната свинца на петли диэлектрического гистерезиса конденсаторных структур на основе ЦТС.

Петли диэлектрического гистерезиса конденсаторных структур исследовались на компьютеризированном макете осциллографическим методом по модернизированной схеме Сойера-Тауэра.

В результате проведенных исследований удалось установить, что избыточное содержание свинца в пленке ЦТС и подслой титаната свинца улучшает её сегнетоэлектрические свойства. Установлено, что подслой титаната свинца, по-видимому, влияет на условия зарождения и роста перовскитовой фазы, в результате чего наблюдается увеличение степени текстурированности и размера столбчатых кристаллитов, что проявляется в увеличении остаточной поляризации и уменьшении коэрцитивного поля пленок ЦТС. Петли гистерезиса для пленок ЦТС, полученных распылением пьезокерамики ЦТСНВ-1, характеризуются сильно выраженной частотной зависимостью уже при 100 Гц, в то время как пленки ЦТС с составом Pb(Zr0,45Ti0,55)O3 сохраняют форму петель гистерезиса вплоть до 500 Гц. Конденсаторные структуры на основе тонких пленок Pb(Zr0,45Ti0,55)O3, можно использовать в качестве элемента памяти, а пленки на основе промышленной пьезокерамики ЦТСНВ-1 в качестве управляемых конденсаторов.


^ АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ POR- AL2O3


Е.Н. Соколова, В.А. Мошников, Ю.М. Спивак

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Пористый оксид алюминия [1], благодаря упорядоченности пор и оптическим и электрофизическим свойствам, является одним из самых актуальных материалов для различных целей микро- и наноэлектроники. Перспективным методом создания наноструктурированных пористых материалов является электрохимическое травление (ЭХТ). В процессе ЭХТ алюминия возможно получить слой Al2O3 с самоупорядоченной структурой пор. Получение слоев por-Al2O3/Si представляет значительный научный и практический интерес в темплатном синтезе. Метод электрохимического осаждения также интересен с точки зрения возможностей формирования наночастиц, в том числе в порах слоев por-Al2O3. Формирование структур на основе In на подложках por-Al2O3, задающих условия роста кристаллов (темплатный синтез), методом электрохимического осаждения позволит управлять свойствами материала (структурой, диаметром In нанокристаллов и т.п.). Этот способ является перспективным, так как оксид In2O3 известен как традиционный материал для создания газовых сенсоров. Целью данной работы являлось получение высокоупорядоченных слоев por-Al2O3 на подложках Al и Si и por-Al2O3-мембран.

Формирование слоев por-Al2O3 проводили методом электрохимического анодирования в потенциостатическом и гальваностатическом режимах. Для достижения высокого упорядочивания структуры слоев por-Al2O3 осуществлялось преструктурирование исходного Al. Из выдержанного раствора InSO4 методом катодного осаждения формировали островки In. Характеризацию полученных образцов проводили с помощью оптической микроскопии (ПОЛАМ Р-312) и атомно-силовой микроскопии (Ntegra Terma, NT-MDT). В результате работы была оптимизирована технология формирования и получены высокоупорядоченные слои por-Al2O3 (диаметр пор ≈ 80 нм, коэффициент упорядочивания К ≈ 98%) и сквозные мембраны por-Al2O3, автозакрепленные в алюминиевой фольге.

Работа выполнена при поддержке АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» Федерального агентства по образованию Российской Федерации, проект 2.1.2/2696; Министерства образования РФ, государственный контракт № П399 от 30.07.2009 по направлению «Создание и обработка композиционных керамических материалов».

1. Кощеев С.В., Канагеева Ю.М., Максимов А.И., Мошников В.А., Румянцева А.И. Использование электрохимических методов при изготовлении активных элементов сенсорных структур // Сборник статей «Технология и дизайн микросхем» по материалам научной молодежной школы 15-16 ноября 2005г., Санкт-Петербург, СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2005, с 81-89.

2. Петухов Д.И. Неорганические мембраны на основе пленок анодных оксидов алюминия и титана.

3. Автор(ы): А.А.Елисеев (ФНМ МГУ), Е.А.Киселева (ФНМ МГУ), И.Большаков (ФНМ МГУ), К. Напольский (ФНМ МГУ). Научно-популярные статьи


Разработка технологий получения и полуэмпирическое исследование нанопористых систем на основе оксида алюминия


А.Ю. Степанова, И.В. Запороцкова

Волгоградский государственный университет


В последнее время наблюдается возрастающий интерес к одномерным (нитевидным) нанокристаллам. Для их создания перспективными являются методы формирования наноразмерных кристаллов с использованием нанопористых матриц. В таких методах в качестве основы используются вещества, содержащие в себе полые каналы, которые можно заполнять различными материалами, формирую тем самым массивы наноразмерных объектов. Эти методы широко применяются для создания нанонитей и нанотрубок, состоящих из металлов, полупроводников, углерода и многих других материалов. Матрицами для заполнения могут служить различные материалы с пористой структурой [1]. Именно поэтому актуальной задачей является разработка технологии создания стабильных нанопористых матриц, которые и послужат основой создания нитевидных кристаллов различного состава.

В нашей работе исследовалась возможность создания матрицы на основе оксида алюминия методом электрохимического осаждения. В результате этого процесса образуется тонкая пленка оксида, содержащая нанопоры с высокой степенью упорядоченности и максимальной плотностью их расположения на заданной площади поверхности пленки. Следует отметить, что существует возможность управлять размерами пор в широком диапазоне. Процесс формирования пористого оксида алюминия осуществлялся на установке Нано-ЭХ, разработанной в Московском институте электронной техники (МИЭТ). При окислении алюминия использовали электролиты на основе различных кислот. Наиболее стабильные результаты по формированию оксида алюминия получены в электролите на основе щавелевой кислоты. Поверхность пленочного оксида алюминия после анодирования исследовали с помощью атомно-силового микроскопа SolverPro. Анализ результатов обнаружил наличие параллельных рядов пор, диаметр которых составляет 26 нм. Тем не менее, ожидаемая гексагональная структурированность в расположении нанопор, предсказанная в работе, не наблюдалась, поэтому в дальнейшем планируется изменить режим анодирования с целью получения результатов, по-возможности, согласованных с представленными ранее. Кроме того, планируется проведение квантово-химических расчетов структуры и электронно-энергетических характеристик нанопористого оксида алюминия с последующим объяснением причин образования таких систем.

  1. Белов А.Н., Гаврилов С.А., Шевяков В.И. Особенности получения наноструктурированного анодного оксида алюминия // «Российские нанотехнологии», 2006, Том 1, № 1,стр. 223-227.



^ ОПТИМИЗАЦИЯ МЕМБРАННО-ЭЛЕКТРОДНЫХ БЛОКОВ ДЛЯ ТОПЛИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ


Е.Е. Терукова, А.М. Кебикова, В. Н. Вербицкий

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН


На сегодняшний день вопрос развития топливной энергетики является одним из важнейших в фундаментальных и прикладных исследованиях. Существует большое количество вопросов по усовершенствованию технологий получения высокоэффективных, недеградирующих электрокаталитических слоев для топливных элементов. На эти свойства влияют такие факторы как способы получения порошков, состав, а также способ и условия нанесения каталитических слоев [1].

Целью работы стало исследование мембранно-электродных блоков (МЭБ) с каталитическими слоями различного состава.

В ходе работы были изготовлены мембранно-электродные блоки, в состав которых входят – мембрана, каталитические и газодиффузионные слои. Для создания каталитических слоев использовались методы пульверизации и электродиспергирования.

Экспериментальная методика состояла в приготовлении каталитических чернил из следующих компонентов: коммерческого катализатора E-TEK с 20 % содержанием платины, коммерческого 20 %-го спиртового раствора иономера Nafion и очищенного этилового спирта. Все компоненты в определенном соотношении перемешивались в ультразвуковой ванночке и полученный раствор каталитических чернил наносился на мембрану.

Полученные МЭБ исследовались в стандартных ячейках фирмы Heliocentris, предназначенных для тестирования топливных элементов. На ячейку подавалась нагрузка и с помощью потенциостата снимались вольт-амперные характеристики, было произведено сравнение характеристик МЭБ, полученных двумя различными методами.

Далее была проведена оптимизация каталитических чернил для МЭБ. Использовались порошки E-TEK c 20 % и 40 % содержанием Pt. Сравнение характеристик показало, что для изготовления каталитических слоёв предпочтительнее использовать Е-ТЕК с 20 % содержанием Pt. Также были получены характеристики МЭБ с каталитическими слоями, изготовленными с различным добавлением углеродных нанотрубок (УНТ) и без них. Оказалось, что УНТ в составе каталитического слоя существенно влияют на мощность МЭБ. Было выявлено, что при содержании в каталитических чернилах 10 % УНТ наблюдается наибольшая мощность МЭБ.

Таким образом, в результате анализа полученных данных удалось оптимизировать состав каталитических слоев и повысить эффективность работы МЭБ на их основе.

1. Lister S, Mclean G // PEM fuel cell electrodes // Journal of Power Sources, 2004 v. 130. – p. 61-76.


Определение толщины и состава эпитаксиальных слоёв

(Al,In)Sb методом Фурье-спектроскопии


Д.Д. Фирсов, О.С. Комков

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


В настоящее время повышенное внимание уделяется структурам на основе InSb и его твёрдых растворов. Это обусловлено крайне высокой подвижностью носителей заряда в таких соединениях, что является перспективным для создания следующего поколения HEMT – транзисторов с высокой подвижностью электронов. В связи этим, на сегодняшний день востребованы технологии выращивания эпитаксиальных слоёв данных материалов [1] и методы контроля их параметров. Один из вариантов неразрушающего контроля– измерение отражения и пропускания в средней инфракрасной области методом фурье-спектроскопии. По сравнению с дифракционной спектроскопией этот метод даёт выигрыш как в светосиле, так и в разрешающей способности [2].

Измерения проводились на исследовательском фурье-спектрометре VERTEX 80. В качестве образцов были взяты эпитаксиальные слои InSb и AlxIn1 xSb на полуизолирующей подложке GaAs c буферным слоем AlSb, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии в ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Спектры отражения и пропускания измерялись в диапазоне энергий от 0,05 до 0,85 эВ. На их основе рассчитывались соответствующие спектры поглощения. Ширина запрещенной зоны получалась корневой аппроксимацией края собственного поглощения. Это позволило по приведенному в [3] соотношению определить искомые составы твёрдых растворов.

В спектрах отражения наблюдалась чёткая интерференционная картина, по которой в работе была рассчитана толщина исследуемых эпитаксиальных слоёв. Благодаря относительно малой толщине слоёв, интерференционные экстремумы наблюдались даже в области собственного поглощения материала. Это позволило определить частотную зависимость показателя преломления InSb для области, в которой традиционные методы (такие, как метод призмы) неприменимы. Полученная зависимость была использована при расчёте толщины слоёв твердых растворов.


1. S.V. Ivanov et al. Journal of Crystal Growth. 156, 191(1995).

2. М.В. Тонков Соросовский образовательный журнал. 7, 83 (2001).

3 . Справочник по электротехническим материалам. Т.3. Под ред. Ю.В.Корицкого и др. 3-е изд., переработанное / М.: Энергоатомиздат, 1988.


^ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПЛЕНОК PZT В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ФАЗУ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ОТЖИГЕ


Н.Ю. Фирсова

Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) (МИРЭА)


Доклад посвящен формированию локальных областей сегнетоэлектрической фазы в пленках PZT при воздействии фемтосекундного лазерного излучения.

Преимуществами лазерного отжига, в сравнении с традиционными методами кристаллизации пленок, является возможность формирования локальных областей перовскитной фазы пленок любой конфигурации

В данной работе локальная кристаллизация пленок PZT осуществлялась с использованием лазерных импульсов длительностью 100 фс, частотой повторения 80 МГц, энергией в импульсе до 1 мДж/см2, в диапазоне длин волн 700 – 1000 нм. Отличие фемтосекундного отжига от всех других видов лазерного отжига заключается в том, что при сверхбыстром воздействии возбуждение и релаксация электронной и ионной подсистем описываются различными динамическими параметрами, что приводит к изменению результирующей кристаллической структуры.

Индикатором кристаллизации пленки PZT в сегнетоэлектрическую фазу являлся сигнал второй оптической гармоники. Особенность методики, основанной на генерации второй гармоники, состоит в том, что в зависимости от объекта и экспериментальной конфигурации данная методика может быть чувствительной и к структуре верхнего слоя кристалла на глубине одного-двух периодов решетки, и к структуре нескольких приповерхностных атомных слоев, и к объему.

По результатам измерений была построена зависимость сигнала второй гармоники от мощности излучения, падающего на образец. Поверхность пленки после лазерного отжига была исследована с помощью сканирующего электронного микроскопа.


МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ СПЕКТРОВ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaN/GaN


Д.С. Фролов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Спектроскопия адмиттанса (полной проводимости), как неразрушающий метод, является мощным инструментом исследования полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. Наряду с относительно низкой стоимостью оборудования для проведения измерений, спектроскопия адмиттанса выделяется возможностью контроля большого числа электрофизических параметров, таких как распределение концентрации легирующей примеси, энергия активации примесных уровней, разрыв зон на гетерогранице, толщина и глубина залегания КЯ.

Моделирование производилось по спектрам проводимости образцов с МКЯ InGaN/GaN, полученных на автоматизированной установке измерения адмиттанса [1]. По экспериментальным данным были построены графики Аррениуса, определены энергия активации и сечение захвата эмиссионных уровней, используемые в качестве подгоночных параметров при моделировании. Подгонка параметров производилась до оптимального совпадения моделируемых кривых с экспериментальными спектрами проводимости.

Разработка программы моделирования температурных спектров проводимости производилась в среде графического программирования LabVIEW в соответствии с моделью комплексной проводимости [2]. При построении модели учитывалась возможность неоднородного уширения спектров из-за разброса энергий активации глубоких уровней, и в качестве функций плотности энергетических состояний принималась функция Гаусса.

Было замечено расхождение параметров моделирования и результатов обработки графика Аррениуса в структурах с близкими (по значению скорости эмиссии) уровнями, которое можно объяснить смещением наблюдаемых температурных максимумов проводимости при суммировании вкладов в проводимость сильно уширенных уровней.

Работа выполнена при финансовой поддержке Федерального агентства по
науке и инновациям (гос. контракт   02.740.11.0213) и Федерального
агентства по образованию (гос. контракт   П890) в рамках ФЦП "Научные
и научно-педагогические кадры инновационной России".


1. О.В. Кучерова, В.И. Зубков, Е.О. Цвелев, А.В. Соломонов, Тез. докл. 6-й Росс. конф. „Нитриды галлия, индия и алюминия ― структуры и приборы“ (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, (2008) 181-182.

2. G. Vincent, D. Bois, P. Pinard, J. Appl. Phys., 46 (1975) 5173-5178.


исследование нелинейных свойств пленок ЦТС, полученных при различных условиях формирования сегнетоэлектрической фазы


Д.А. Чигирев

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Создание устройств функциональной электроники на принципах физической интеграции открывает новые перспективы развития микроэлектроники. Существенную роль в становлении этого направления играют сегнетоэлектрические материалы, среди которых наиболее выделяются твердые растворы цирконат-титанат-свинца. Многообразие их свойств таких, как переключение спонтанной поляризации, высокая диэлектрическая проницаемость и т.д, создают условия для создания на их основе устройств нового поколения.

Особый интерес вызывают исследования связанные с рассмотрением влияния условий формирования перовскитовой фазы пленок ЦТС, а именно значения температуры и времени термообработки на нелинейность пленок в электрических полях. В данной работе объектом исследования являлись пленки ЦТС толщиной 350 нм и 1500 нм, осажденные методом ВЧ магнетронного распыления мишени промышленной сегнетокерамики ЦТСНВ-1на ситалловые и оксидированные кремниевые подложки с подслоем платины, выполняющим функцию нижнего электрода. Для исследования электрофизических параметров пленок были созданы конденсаторные структуры с верхними электродами, выполненными также из платины.

С повышением температуры термообработки увеличивается доля перовскитовой фазы, приводящая к увеличению изменения реверсивной диэлектрической проницаемости при воздействии электрического поля. На экспериментальных зависимостях диэлектрической проницаемости от температуры термообработки наблюдался максимум, который, по-видимому, связан с протеканием двух процессов в ходе формирования сегнетоэлектрической фазы: образованием перовскитовой структуры в пленке и уходом летучего оксида свинца из пленки. Уменьшение концентрации свинца в пленке ЦТС затрудняет образование фазы перовскита и делает ее более дефектной. Поэтому на фоне большой нелинейности полученные пленки обладали малыми значениями остаточной поляризации. Толстые пленки обладали большими значениями нелинейности и диэлектрической проницаемости, поскольку в них формировались домены больших размеров.


Исследование металл – оксид – полимерных систем, используемых в герметизации микросхем


Д.А. Чигирев, И.М. Соколова, В.А. Максимов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


Проблемы надежности нано- и микросхем тесно связаны с их герметизацией. Среди множества факторов, отвечающих за надежность герметизации, наиболее весомым является адгезионное взаимодействие в системах металл – полимер и полупроводниковый кристалл - полимер.

В данной работе исследовалась система металл- полимер, а, именно: Cu- подложка - эпоксидный заливочный компаунд с целью выявления факторов, определяющих уровень адгезионного взаимодействия. По результатам исследования профилей распределения элементов по глубине, полученных методом электронной Оже-спектроскопии на интерфейсе металл – полимер было обнаружено наличие оксидной пленки. По литературным данным известно, что наличие оксидной прослойки может катастрофически ухудшать адгезионное взаимодействие. В связи с этим большой интерес представляют исследование механизма взаимодействия полимерных композитов с оксидной пленкой, а также влияние различных типов окислов на величину адгезии, то есть реально рассматривается система металл-оксид-полимер.

Для улучшения механических свойств в компаунд вводят наполнитель в виде сферических частиц SiO2, это снижает как величину температурного коэффициента линейного расширения, так и энергию образования трещины, препятствуя тем самым ее дальнейшему развитию. Однако, как показали исследования с применением СЭМ, существует довольно большой разброс в геометрических размерах частиц SiO2, что, в свою очередь, может приводить к неоднородному распределению механических напряжений по компаунду и, как следствие, дополнительно влиять на механизм адгезионного взаимодействия.

Важным фактором, влияющим на надежность герметизации, является воздействие повышенной влажности. С использованием метода диэлектрической спектроскопии в исследованных образцах наблюдали возрастание диэлектрической проницаемости компаунда при увеличении времени выдержки в среде с повышенной относительной влажностью, связанное с увеличением полярности компаунда в процессе насыщения его водой, что может быть обусловлено как заполнением пустот в компаунде водой, так и возможным частичным химическим модифицированием состава полимерного компаунда.


^ ИЗМНЕНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК В РЕЗУЛЬТАТЕ ДИССОЦИАТИВНОЙ АДСОРБЦИИ


Е.Н. Шамина

Волгоградский государственный медицинский университет


Возможное технологическое применение углеродных нанотрубок (УНТ) связывают с их высокой удельной поверхностью, значение которой для однослойных УНТ достигает ~600 м2г. Это определило повышенное внимание к поверхностным (адсорбционным и др.) свойствам УНТ.

В данной работе теоретически изучены адсорбционные свойства однослойных углеродных нанотрубок (n, n) типа (n = 3, 4, 5, 6, 7). В качестве геометрических моделей изучаемых нанотрубок были выбраны кластеры (фрагменты), содержащие n шестиатомных циклов (гексагонов) по периметру трубки и 8 - 10 элементарных слоев гексагонов вдоль оси трубки. Исследованы закономерности адсорбции атомов и молекул А (А = O; F; Cl; F2; H2; О2) на углеродных нанотрубках. Рассчитаны энергия адсорбции EАД, энергия верхней заполненной молекулярной орбитали (ЕВЗМО), энергия нижней вакантной молекулярной орбитали (ЕНВМО), ширина запрещенной щели (Еg) и изменение ширины запрещенной щели в результате адсорбции (Еg) частиц. Расчеты электронного строения данных структур выполнены в рамках модели простого молекулярного кластера с использованием квантово-химической полуэмпирической схемы MNDO [1].

Анализ результатов квантово-химических расчетов показал, что в полуэмпирическом методе MNDO энергия верхней заполненной молекулярной орбитали (ЕВЗМО) и энергия нижней вакантной молекулярной орбитали (ЕНВМО) увеличиваются с ростом диаметра трубки. Изменение величин граничных энергий ЕВЗМО и ЕНВМО свидетельствует об изменении свойств нанотрубок в результате адсорбции, в частности, об увеличении реакционной способности данных систем. Анализ величины изменения запрещенной зоны Еg показал, что в результате адсорбции атомов и молекул ширина зоны уменьшается, что увеличивает «металлизацию» УНТ.

Полученные результаты свидетельствуют о проявлении хирального адсорбционного эффекта углеродными нанотрубками по отношению к простым молекулам, т.е. зависимостью энергии адсорбции от диаметра нанотрубок.


  1. Степанов Н.Ф. Квантовая механика и квантовая химия. Москва: Мир, 2001. 519 с.


^ МЕТОДИКА ДИНАМИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ АДГЕЗИОННЫХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ В АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ


М.А. Шереверова, А.С. Батурин, В.С. Бормашов

Московский физико-технический институт (государственный университет), Научно-образовательный центр «Нанотехнологии»


В настоящее время атомно-силовая микроскопия (АСМ) широко применяется для исследования адгезионных свойств поверхности в нанометровом диапазоне. Одним из основных способов изучения адгезионных сил, возникающих при наноконтактах, является метод силовой спектроскопии, который состоит в измерении и последующей обработке, так называемых, кривых подвода-отвода, представляющих зависимость отклонения кончика кантилевера от расстояния между кантилевером и поверхностью.

Одной из проблем данного метода является сильное различие результатов, получаемых в единичном измерении, поэтому имеет смысл анализировать статистику распределения параметров взаимодействия. Но для набора статистики с помощью существующих стандартных методик требуется значительное время, за которое могут измениться условия эксперимента, такие как температура, влажность, давление, кроме того становится существенным дрейф образца.

В данной работе представлена АСМ методика измерения адгезионных свойств поверхности, основанная на быстрых измерениях кривых подвода-отвода (до 2000 кривых в секунду). Эксперименты проводились на сканирующем зондовом микроскопе NTegra Prima производства компании NT-MDT, который был дооснащен быстродействующим внешним АЦП E20-10 производства компании L-Card и генератором сигналов произвольной формы AFG 3021 производства компании Tektronix. Для того, чтобы интегрировать предлагаемую методику в основную программу управления микроскопом, были созданы в виде подключаемых динамических библиотек дополнительные модули управления АЦП-платой и on-line обработки данных. Также написана надстройка (скрипт), осуществляющая сканирование в автоматическом режиме, тем самым определяя распределение адгезионных свойств по поверхности образца. Суть данного подхода заключается в измерении отклика кантилевера вблизи исследуемой поверхности при его возбуждении гармоническим сигналом частоты существенно ниже резонансной (от 500 Гц до 2 кГц), или сигналом произвольной формы.

В качестве примера применения разработанной методики в микроэлектронике были проведены исследования специально созданной тестовой структуры, состоящей из слоёв палладия и полиметилметакрилата толщиной 260 нм с шириной полосы 1 мкм. Результаты исследования показали, что несмотря на сложный рельеф поверхности, с помощью методики динамической силовой спектроскопии по различию адгезионных свойств поверхности можно однозначно идентифицировать тип верхнего слоя структуры.


^ МОДЕЛЬ МИКРОПОДВЕСА ТРЕХОСЕВОГО МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО ГИРОСКОПА-АКСЕЛЕРОМЕТРА


Е.В. Шерова

ФГОУ ВПО «Южный федеральный университет»


Микросистемная техника оказывает возрастающее влияние на развитие элементной базы как инерциальных навигационных систем подвижных объектов, так и бытовой аппаратуры (сотовых телефонов, цифровых видеокамер, игровых приставок), основу которых составляют микромеханические сенсоры угловых скоростей и линейных ускорений.

В настоящее время для регистрации угловых скоростей и линейных ускорений по трем координатам используют комбинацию одно- и/или двухосевых сенсоров, что приводит к увеличению размеров и массы микросистем ориентации и навигации.

В данной работе исследуется микромеханический гироскоп-акселерометр (ММГА) позволяющий регистрировать угловые скорости и линейные ускорения по трем осям чувствительности, изготавливаемый по технологии поверхностной микрообработки.

Предложенный ММГА содержит инерционную массу, промежуточную рамку, микроподвес, в состав которого входят микроторсионы и микроопоры, микроприводы, гребенчатые микроприводы и микрогребни.

Разработаны механические модели движения чувствительного элемента ММГА в зависимости от направления действия угловой скорости и линейного ускорения. Динамическую модель чувствительного элемента сенсора угловых скоростей и линейных ускорений можно представить дифференциальными уравнениями второго порядка:



где m1 –масса чувствительного элемента, m2 – . масса промежуточной рамки, где bx, by, bz – коэффициенты демпфирования ИМ в направлении соответствующих осей, ω – частоты генерации силы, t – время, – угловая скорость в направлении соответствующих осей, υ – линейная скорость, Fax, Fay, Faz – сила под действием линейного ускорения в направлении соответствующих осей, Fэлy – электростатическая сила вдоль оси y.

Первое уравнение системы описывает режим движения, а второе и третье – режим чувствительности сенсора угловых скоростей и линейных ускорений.

Для исследования микромеханического устройства применялись аналитические и численные методы. Получены зависимости собственных частот колебаний инерционной массы ММГА от конфигурации упругого подвеса. Погрешность предложенных моделей по сравнению с численными методами не превышает 20 %.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (шифр «НК-207П»).


^ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТОВ САЖ И ПОЛИАНИЛИНА В КАЧЕСТВЕ ДЕТЕКТИРУЮЩЕЙ КОМПОНЕНТЫ СЕНСОРОВ


М.А. Шишов

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический университет, Радиофизический факультет


Углеродные сажи имеют большую удельную площадь поверхности, высокую пористость, химически инертны и термостабильны. В работе использованы два вида саж: Vulcan XC-72 с гидрофобной поверхностью и гидрофилизированный активированный уголь. Удельная площадь поверхности материалов составляет сотни м2/г, пористость превышает 60 %. Сажи служат носителями детектирующей компоненты сенсора.

В качестве детектирующей компоненты сенсора используется органический полупроводник полианилин (ПАНИ). Полимер обладает окислительно-восстановительными свойствами, высокой рН чувствительностью и может быть использован для детектирования широкого круга химических аналитов. Свойства ПАНИ, такие как окислительный потенциал, плотность, электропроводность, оптическое поглощение и магнитная восприимчивость, меняются в зависимости от состояния окисления и степени протонирования полимера кислотами. Это позволяет применять различные принципы детектирования аналита. В отличие от традиционных сенсоров на основе оксидов переходных металлов, работающих при повышенных температурах, ПАНИ дает обратимый отклик на аналит уже при температурах выше 0 0С.

В настоящей работе в качестве детектирующего материала используются нанослои ПАНИ на углеродном носителе, это позволяет повысить чувствительность устройства, и сократить время отклика на аналит.

Метод регистрации аналита основан на изменении магнитных характеристик ПАНИ. Под воздействием аналита концентрация неспаренных спинов в полимере может меняться в диапазоне 1016 – 1020 Спин/г. Разработана конструкция детектирующего устройства, где измерения магнитной индукции материала, помещенного в электромагнитное поле, преобразуются в частотные характеристики, регистрируемые электронным устройством. Метод детектирования является бесконтактным, поэтому здесь отсутствуют проблемы нестабильности, присущие сенсорам типа «хемрезистор», которые связанны с отслаиванием активного слоя от электродов. Разрабатываемое детектирующее устройство используется для определения концентрации токсичного, но широко используемого в промышленности газа аммиака.

Расчет энергетического спектра электронов в квантовых точках на основе полупроводников A3B5


А. И. Шпаковский, Г. Ф. Глинский

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


В настоящее время основным методом расчета энергетического спектра и волновых функций носителей заряда в квантовых точках является решение дифференциального уравнения Шредингера для огибающих функций в приближении эффективной массы. В рамках данного приближения фактически пренебрегается атомарным строением материалов, составляющих квантовую точку и матрицу основного материала, что не позволяет рассматривать квантовые точки, содержащие малое число узлов кристаллической решетки [1]. Кроме того, данное макроскопическое приближение пренебрегает истинной микроскопической симметрией рассматриваемой гетероструктуры, что может приводить к принципиальным ошибкам.

В представленной работе используется новый подход к расчету энергетического спектра и волновых функций электронов и дырок, основанный на решении уравнения Шредингера в узельном представлении [2, 3]. Данная теория была использована для расчета энергетического спектра электронов в InAs/GaAs-квантовых точках различных форм: кубической, пирамидальной и сферической. Изучалась роль поправок к гамильтониану, обусловленных изменением параметров материала при переходе через интерфейс, механическими напряжениями и короткодействующей частью интерфейсного потенциала. Показано, что влияние этих поправок на энергетический спектр носителей заряда растет с уменьшением размера квантовой точки. Полученные теоретические данные сравнивались с имеющимися экспериментальными результатами.


1. А. И. Шпаковский, Г. Ф. Глинский. Метод огибающих волновых функций в теории полупроводниковых наногетероструктур. 11-я научная молодежная школа по твердотельной электронике «Нанотехнологии, наноматериалы, нанодиагностика» Тезисы докладов, 23-25 мая 2008 г., с. 68

2 Г. Ф. Глинский. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры: симметрия и электронные состояния. СПб: Из-во «Технолит», 2008. 324 с.

3. А. И. Шпаковский, Г. Ф. Глинский. Узельное представление в теории квантовых точек. Десятая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тезисы докладов, 1-5 декабря 2008 г., с. 78

Работа выполнена в рамках аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы (2009 - 2010)» (проект № 2503), а также при финансовой поддержке Федерального агентства по
науке и инновациям (гос. контракт   02.740.11.0213) и Федерального
агентства по образованию (гос. контракт   П890) в рамках ФЦП "Научные
и научно-педагогические кадры инновационной России".


^ МЕТОД ТЕМПЕРАТУРНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ АДМИТТАНСА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР С МКЯ


А.С. Шувалов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»


На сегодняшний день широкое применение получили излучающие светодиоды с активной частью, выполненной на основе гетеростуктур. В данной работе исследовались материалы, выполненные на основе нитридов III группы, а именно гетеросистема с МКЯ InGaN/GaN. Из-за разной ширины запрещенной зоны возникают разрывы энергетических зон, а из-за рассогласования решеток - механические напряжения, что приводит к резкому изменению электрофизических свойств гетероструктуры.

Спектроскопия адмиттанса (полная проводимость) является неразрушающей методикой, то есть способна проводить измерения уже готового образца с МКЯ. В ходе экспериментов были получены температурные спектры проводимости гетеростуктуры с МКЯ InGaN/GaN, на которых выделялись 3 пика. Максимум в проводимости наступал тогда, когда скорость эмиссии носителей совпадала с вынуждающим сигналом измерителя. Анализ велся в среде “MathCAD”. Суть работы заключалась в построении температурной зависимости скорости эмиссии в координатах Аррениуса, который давал значение энергии активации носителей заряда из системы МКЯ для каждого пика, затем моделировался спектр проводимости и сопоставлялся с экспериментальным. Первый низкотемпературный пик получается за счет распределенного в объеме активной области дефекта. Второй пик интерпретируется как эмиссия носителей из активной области квантовой ямы. На пик, расположенный при больших температурах, оказывают влияние туннельные переходы с уровней квантования в объем активной области. Также показано смещение пиков проводимости гетеросистемы в зависимости от частоты вынуждающего сигнала и от приложенного обратного смещения.

Работа выполнена при финансовой поддержке Федерального агентства по
науке и инновациям (гос. контракт   02.740.11.0213) и Федерального
агентства по образованию (гос. контракт   П890) в рамках ФЦП "Научные
и научно-педагогические кадры инновационной России".

1. Зубков В.И. “Диагностика полупроводниковых наногетеростуктур методом спектроскопии адмиттанса” . СПб.: Элмор, 2007.

2. Кучерова О.В., Зубков В.И. “Неразрушающая диагностика наногетеростуктур с МКЯ InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса”. Екатеринбург: “Нано-2009”.


0463621338690386.html
0463696722245661.html
0463758139765629.html
0463877599610416.html
0464086924924206.html